Datasheet下载- 型号： EC4H09C-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EC4H09C-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EC4H09C-TL-H价格参考。ON SemiconductorEC4H09C-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EC4H09C-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EC4H09C-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的EC4H09C-TL-H是一款高频NPN型射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于射频功率放大和小信号放大应用。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，典型应用场景包括：蜂窝基站、无线基础设施中的低噪声与驱动放大器、物联网（IoT）设备、工业射频模块以及各类无线收发系统。 EC4H09C-TL-H具有良好的高频性能和高增益特性，适合在UHF及微波频段（如800 MHz至3 GHz范围）稳定工作，广泛应用于GSM、WCDMA、LTE等移动通信频段。其封装为小型表面贴装（SOT-723），节省PCB空间，适合高密度布局的射频电路设计。此外，该器件具备优良的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内保持性能稳定，适用于严苛环境下的工业与通信设备。 总体而言，EC4H09C-TL-H适用于对尺寸、功耗和高频响应有要求的中低功率射频放大电路，是现代无线通信系统中理想的射频晶体管解决方案之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 3.5V 40MA ECSP1008-4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EC4H09C-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 5mA，1V |
| 供应商器件封装 | 4-ECSP1008 |
| 功率-最大值 | 120mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB @ 2GHz |
| 增益 | 15dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFDFN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 3.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40mA |
| 频率-跃迁 | 26GHz |
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