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Datasheet下载- 型号： 2SC5085-Y(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5085-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5085-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5085-Y(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5085-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5085-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的2SC5085-Y(TE85L,F)是一款高频NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大和高频信号处理场景。该器件具有高截止频率（fT高达8 GHz），适合在高频、低噪声环境下工作，广泛应用于无线通信设备中。 典型应用场景包括： 1. 移动通信模块：用于手机、基站和无线中继设备中的射频功率放大电路，支持UHF频段信号放大。 2. 无线局域网（WLAN）：适用于Wi-Fi 5/6等无线网络设备的前端射频放大器，提升信号传输稳定性。 3. 物联网（IoT）设备：在蓝牙、ZigBee等短距离无线通信系统中作为小信号放大器，增强接收灵敏度。 4. 卫星通信与GPS接收器：用于低噪声放大器（LNA）电路，提高微弱信号的接收性能。 5. 电视调谐器与有线电视设备：在高频信号选择与放大电路中发挥关键作用。 2SC5085-Y采用小型表面贴装封装（如SOT-323），节省空间，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其低电流消耗特性也使其适用于便携式电子设备。总体而言，该晶体管适用于需要高频响应、低噪声和高增益的射频模拟电路，是现代无线通信系统中的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN MM USM |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SC5085-Y(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SC5085-Y(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 11dB ~ 16.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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