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  • 型号: BUZ30A E3045A
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ30A E3045A由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ30A E3045A价格参考。InfineonBUZ30A E3045A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUZ30A E3045A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUZ30A E3045A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的BUZ30A E3045A是一款N沟道功率MOSFET,常用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其具备高耐压和低导通电阻特性,有助于提高电源效率。

2. 电机控制:广泛应用于直流电机驱动、步进电机控制及电动工具中,作为高效、快速开关元件,实现对电机转速与方向的精确控制。

3. 照明系统:用于LED照明驱动电路,尤其是高功率LED应用中,提供稳定电流控制和高效能转换。

4. 工业自动化:在工业控制设备和自动化系统中,用于继电器替代、负载开关及高频开关应用,提升系统响应速度和可靠性。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车载充电器及车身控制模块等场景,满足汽车电子对高可靠性和稳定性的要求。

该MOSFET具备良好的热稳定性和高电流承载能力,适合高频开关操作,适用于多种中高功率电子系统的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

产品图片

产品型号

BUZ30A E3045A

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SIPMOS®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 13.5A,10V

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

BUZ30AE3045AT
SP000011337

功率-最大值

125W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Tc)

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