Datasheet下载- 型号： STB25NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB25NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB25NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTB25NM50N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB25NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB25NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB25NM50N是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有500V的高漏源击穿电压和25A的大电流承载能力，适用于需要高效开关和高耐压性能的电源管理系统。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信设备中的AC-DC或DC-DC转换器，因其高耐压和低导通电阻特性，可提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：适用于工业控制、家用电器（如洗衣机、空调压缩机）中的电机控制电路，能够承受电机启动时的高电压冲击，并实现快速开关响应。 3. 照明系统：用于高强度放电灯（HID）、LED驱动电源等照明应用，支持高频开关工作，提升系统稳定性与寿命。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器中作为核心开关元件，实现直流到交流的高效转换。 5. 电磁感应加热：应用于电磁炉、工业加热设备中，利用其高频开关能力实现能量高效传输。 STB25NM50N采用TO-220FP或类似封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合在严苛工业环境下稳定运行。其优化的栅极电荷和导通电阻参数有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB25NM50N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2565pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5385-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF82145?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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