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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6603由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6603价格参考。International RectifierIRF6603封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6603参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6603 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号IRF6603是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管的一种。该器件常用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 应用场景主要包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,IRF6603可用于高频开关操作,提高能量转换效率。 2. 电机驱动电路:适用于无刷直流电机(BLDC)、伺服电机或步进电机的控制模块,提供快速响应和良好的热稳定性。 3. 电池管理系统(BMS):在电动车、储能系统中作为充放电控制开关,具备低导通电阻特性,有助于减少损耗。 4. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,实现高效的电能变换。 5. 工业自动化设备:如PLC控制模块、工业机器人等对可靠性和耐用性要求较高的场景。 该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合中高功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6603 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6590pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 毫欧 @ 25A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
其它名称 | *IRF6603 |
其它有关文件 | |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Ta), 92A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6603.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6603.spi |