Datasheet下载- 型号： IRF6646TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6646TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6646TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6646TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6646TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6646TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF6646TR1PBF是一款单N沟道MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），适用于需要高效功率转换与控制的多种电子系统。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源效率和稳定性。 2. 电机驱动：用于工业自动化、电动工具和家用电器中的电机控制，实现高效能与小型化设计。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动车、储能系统和便携设备中，用于充放电控制与电池保护。 4. 照明系统：如LED驱动电路，实现高效率恒流控制。 5. 工业控制：用于PLC、继电器替代、电源开关等场景，提升系统可靠性与响应速度。 该MOSFET采用表面贴装封装，适用于自动化生产，适合中高功率应用场景，具备良好的耐用性和稳定性，是工业与消费类电子产品中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFETMOSFET MOSFT 80V 12A 9.5mOhm 36nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6646TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6646TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 36 nC |
| Qg-栅极电荷 | 36 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.9 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MN |
| 其它名称 | IRF6646TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MN |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MN |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 68A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6646.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6646.spi |
| 配置 | Single |
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