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Datasheet下载- 型号： TK8S06K3L(T6L1,NQ)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK8S06K3L(T6L1,NQ)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK8S06K3L(T6L1,NQ)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK8S06K3L(T6L1,NQ)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK8S06K3L(T6L1,NQ)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK8S06K3L(T6L1,NQ) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK8S06K3L(T6L1,NQ) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET，属于 晶体管 - FET，MOSFET - 单 类别，是一款 N沟道增强型功率MOSFET，常用于高效率、高频率的电力电子系统中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、风扇、泵类设备中的功率开关。 3. 负载开关：在需要快速控制电源通断的场合，如工业自动化设备、服务器电源系统中。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，保护电路中的开关元件。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等设备的电源控制部分。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（60V）、适合高频开关等特性，适合对空间和效率有要求的中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK8S06K3L |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 其它名称 | TK8S06K3L(T6L1NQ) |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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