Datasheet下载- 型号： STB28NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB28NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB28NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTB28NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB28NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB28NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB28NM60ND是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高频率开关性能的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，用于高效能转换和调节。 2. 电机控制：在电机驱动器和电动工具中，作为功率开关控制电机的启停和速度调节。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电路，实现高效率的恒流控制和调光功能。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、电机控制及车载充电器等场景，具备良好的稳定性和耐温性。 5. 工业自动化：用于工业控制设备如PLC、变频器和伺服驱动器中，提供可靠的高频开关性能。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（600V）和较强电流承载能力，适合高效率、高频率的开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 24A D2PAKMOSFET Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB28NM60NDFDmesh™ II |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB28NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 62.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 21.5 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2090pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 11.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-14238-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
| 系列 | STB28NM60ND |
| 配置 | Single |
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