图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQD6N40CTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQD6N40CTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD6N40CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD6N40CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD6N40CTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD6N40CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD6N40CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD6N40CTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有 400V 的耐压能力、低导通电阻和出色的开关性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景:

1. 开关电源 (SMPS)  
   FQD6N40CTM 可用作开关电源中的功率开关器件,适用于反激式、正激式或其他拓扑结构的 DC-DC 转换器。其高电压耐受能力和快速开关特性使其适合在高频开关条件下运行。

2. 电机驱动  
   该 MOSFET 可用于驱动中小功率电机,例如步进电机、直流无刷电机 (BLDC) 或有刷直流电机。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或 UPS 系统中,FQD6N40CTM 可作为功率级开关元件,实现高效的直流到交流转换。其高耐压特性能够适应高压输入环境。

4. 负载开关与保护电路  
   该器件可用作负载开关,控制电路中负载的开启和关闭。此外,它还可用于过流保护、短路保护等安全功能设计中。

5. 电动车与电动工具  
   在电动车(如电动自行车、滑板车)以及电动工具(如电钻、电锯)中,FQD6N40CTM 可用于电池管理系统 (BMS) 和电机控制器中,提供高效且可靠的功率切换。

6. LED 驱动器  
   对于需要高压输入的 LED 照明应用,这款 MOSFET 可用作驱动电路中的开关元件,确保稳定的电流输出并优化能效。

7. 家电与工业设备  
   在家电(如洗衣机、空调压缩机)和工业设备(如伺服系统、机器人)中,FQD6N40CTM 可作为功率开关或控制器的一部分,支持复杂的工作负载需求。

总结来说,FQD6N40CTM 凭借其高耐压、低损耗和稳定性能,广泛适用于各种需要高效功率转换和控制的场合,尤其适合对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAKMOSFET 400V N-Channel Advance QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD6N40CTMQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQD6N40CTM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

400 V

Vds-漏源极击穿电压

400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

65 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

625pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 2.25A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD6N40CTM-ND
FQD6N40CTMTR

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

4.7 S

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A (Tc)

系列

FQD6N40

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQD6N40CTM_NL

推荐商品

型号:STW9NK95Z

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF840BPBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AUIRFR9024N

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFR420PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPP03N03LA

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:HUFA76419D3ST

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:2SK3745LS

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:VN2222LL

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FQD6N40CTM 相关产品

SI2318DS-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥2.79-¥3.48

IRF7815PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥询价-¥询价

FDB120N10

品牌:ON Semiconductor

价格:¥9.96-¥16.64

IRFR120NCPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

SIHG20N50E-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥13.29-¥13.29

FDPF190N15A

品牌:ON Semiconductor

价格:

SI7356ADP-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥6.01-¥6.01

FQP9N30

品牌:ON Semiconductor

价格: