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  • 型号: FDB024N04AL7
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDB024N04AL7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB024N04AL7由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB024N04AL7价格参考。Fairchild SemiconductorFDB024N04AL7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) D²PAK(TO-263)。您可以下载FDB024N04AL7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB024N04AL7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V D2PAK-7MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

219 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDB024N04AL7

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

214 W

Pd-功率耗散

214 W

Qg-GateCharge

84 nC

Qg-栅极电荷

84 nC

RdsOn-漏源导通电阻

2 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

109nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 80A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK(7-Lead)

其它名称

FDB024N04AL7DKR

功率-最大值

214W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

封装/箱体

D2PAK-7

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

368 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

219 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

系列

FDB024N04

配置

Single

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