ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDB024N04AL7
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDB024N04AL7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB024N04AL7由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB024N04AL7价格参考。Fairchild SemiconductorFDB024N04AL7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) D²PAK(TO-263)。您可以下载FDB024N04AL7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB024N04AL7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB024N04AL7 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,广泛应用于需要高效功率转换的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,提高能效并减小电路体积。 2. 电机驱动:适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路,支持高频开关与稳定输出。 3. 电池管理系统(BMS):在储能设备或电动车中用于充放电控制,保障电池安全与效率。 4. 消费电子:如笔记本电脑、平板、智能手机的电源模块,满足低电压大电流需求。 5. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器或工业电源,适应复杂工况并提升系统可靠性。 该器件采用紧凑封装(如PowerPAK® 1212-8),便于散热设计,适合高密度PCB布局,是中低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 219 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB024N04AL7 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 214 W |
| Pd-功率耗散 | 214 W |
| Qg-GateCharge | 84 nC |
| Qg-栅极电荷 | 84 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 109nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 80A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
| 其它名称 | FDB024N04AL7DKR |
| 功率-最大值 | 214W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA |
| 封装/箱体 | D2PAK-7 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 368 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 219 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 系列 | FDB024N04 |
| 配置 | Single |