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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4320DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能和小尺寸封装的设计。 该器件广泛应用于以下领域: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、电池充电与保护电路,适合便携式电子产品(如笔记本电脑、平板电脑和智能手机)中的电源控制。 2. 负载开关:用于控制电源到特定负载的传输,如电机、LED灯或外设模块的开关控制,具备快速响应和低损耗优势。 3. 汽车电子:包括车载电源系统、车身控制模块和LED照明驱动,适用于对可靠性和效率有要求的车载环境。 4. 工业控制:如PLC、传感器模块和自动化设备中的电源切换与功率调节。 SI4320DY-T1-E3 采用小型封装,适合高密度PCB布局,是许多中低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4320DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Ta) |