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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB13N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB13N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB13N10LTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB13N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB13N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB13N10LTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器和充电器,提供高效的功率转换。 2. DC-DC转换器:在各类电子设备中用于不同电压等级之间的直流-直流转换,如服务器、通信设备和工业控制系统。 3. 负载开关与电源开关:用于控制电源的通断,如电池管理系统、热插拔电路中,具有低导通电阻和快速开关特性。 4. 马达驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、电动工具和机器人中的功率驱动部分。 5. 照明系统:用于LED照明驱动电路中,实现高效稳定的电流控制。 6. 消费类电子产品:如电视、音响、智能家居设备中的电源管理模块。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(100V)和良好热性能,适用于中高功率应用,支持高频开关,有助于提升系统效率与可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB13N10LTM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 6.4A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.8A (Tc) |