Datasheet下载- 型号： IRFBE30LPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBE30LPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBE30LPBF价格参考。VishayIRFBE30LPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBE30LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBE30LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBE30LPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET可用于开关模式电源中的高频开关元件，适用于降压、升压或反激式转换器等拓扑结构。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动与控制：在小型直流电机驱动电路中，IRFBE30LPBF可以作为开关器件使用，通过PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。它适合应用于家用电器、玩具及工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载切换：在需要快速开启或关闭高电流负载的情况下，如LED照明系统、汽车电子设备中的负载切换功能，这款MOSFET能够提供稳定可靠的性能。 4. 电池管理：用于便携式电子产品（如笔记本电脑、智能手机充电器）中的电池保护电路，实现过流保护、短路保护等功能，确保电池安全充放电。 5. 音频放大器：在某些D类音频放大器设计中，MOSFET可用作输出级开关元件，以实现高效能的声音信号放大。 6. 电信与数据通信设备：为这些设备中的各种模块提供高效的电源管理和信号处理能力，例如基站中的射频功放偏置电路等。 总之，IRFBE30LPBF凭借其优良的电气特性和封装形式，在众多需要高性能、低功耗开关操作的应用场合都具有广泛适用性。具体应用时需根据实际需求选择合适的驱动电路和散热措施，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91119 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBE30LPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBE30LPBFIRFBE30LPBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | *IRFBE30LPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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