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  • 型号: IPI65R150CFDXKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R150CFDXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R150CFDXKSA1价格参考¥8.85-¥8.85。InfineonIPI65R150CFDXKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI65R150CFDXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI65R150CFDXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

英飞凌(Infineon Technologies)型号为IPI65R150CFDXKSA1的MOSFET,属于高性能碳化硅(SiC)功率器件,主要面向高效率、高频率的电力电子应用。该器件具备低导通电阻、快速开关特性以及优异的热性能,适用于对能效和功率密度要求严苛的场景。

其主要应用场景包括:

1. 电动汽车(EV)充电系统:用于车载充电机(OBC)和充电桩电源模块,提升转换效率并减小系统体积。
2. 工业电源:如高效率服务器电源、电信电源和储能系统,满足高可靠性和高效率标准。
3. 可再生能源系统:应用于光伏逆变器和储能逆变器中,提高能源转换效率,适应复杂环境。
4. 电机驱动与变频器:用于工业电机控制和伺服驱动,实现高效、高频运行。
5. 消费类电源设备:如高功率适配器和不间断电源(UPS),支持小型化与高效化设计。

综上,该MOSFET适用于对效率、功率密度和可靠性有高要求的中高功率应用领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX65R150CFD__2_01.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063

产品图片

产品型号

IPI65R150CFDXKSA1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 900µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2340pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

86nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

150 毫欧 @ 9.3A, 10V

供应商器件封装

PG-TO262-3

功率-最大值

-

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22.4A (Tc)

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