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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R150CFDXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R150CFDXKSA1价格参考¥8.85-¥8.85。InfineonIPI65R150CFDXKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI65R150CFDXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI65R150CFDXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌(Infineon Technologies)型号为IPI65R150CFDXKSA1的MOSFET,属于高性能碳化硅(SiC)功率器件,主要面向高效率、高频率的电力电子应用。该器件具备低导通电阻、快速开关特性以及优异的热性能,适用于对能效和功率密度要求严苛的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电动汽车(EV)充电系统:用于车载充电机(OBC)和充电桩电源模块,提升转换效率并减小系统体积。 2. 工业电源:如高效率服务器电源、电信电源和储能系统,满足高可靠性和高效率标准。 3. 可再生能源系统:应用于光伏逆变器和储能逆变器中,提高能源转换效率,适应复杂环境。 4. 电机驱动与变频器:用于工业电机控制和伺服驱动,实现高效、高频运行。 5. 消费类电源设备:如高功率适配器和不间断电源(UPS),支持小型化与高效化设计。 综上,该MOSFET适用于对效率、功率密度和可靠性有高要求的中高功率应用领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX65R150CFD__2_01.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 |
产品图片 | |
产品型号 | IPI65R150CFDXKSA1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 900µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2340pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 9.3A, 10V |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
功率-最大值 | - |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22.4A (Tc) |