ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > RB751S-40TE61
Datasheet下载- 型号： RB751S-40TE61
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RB751S-40TE61由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RB751S-40TE61价格参考￥18276.15-￥18276.15。ROHM SemiconductorRB751S-40TE61封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 30V 30mA EMD2。您可以下载RB751S-40TE61参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RB751S-40TE61 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RB751S-40TE61是一款肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），属于二极管-整流器-单类别。该器件采用小型表面贴装封装（SOD-323），具有低正向压降和快速开关特性，适用于对效率和空间要求较高的应用。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理电路，用于防止反向电流和实现高效整流；消费类电子产品中的DC-DC转换器，提升转换效率并减少发热；以及各类小型电源适配器、充电器和LED驱动电路中的整流与保护环节。 此外，RB751S-40TE61也常用于信号整流、续流二极管（flyback diode）和极性保护电路中，尤其适合高频工作环境。由于其封装小巧、功耗低，广泛应用于高密度印刷电路板设计中，满足现代电子产品轻薄化和节能的需求。 该二极管最大反向电压为40V，适合低压直流系统，典型应用温度范围宽（-55°C至+150°C），具备良好的热稳定性和可靠性，是中小功率电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 0.03A EMD2肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 30MA |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ROHM Semiconductor RB751S-40TE61- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RB751S-40TE61 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 370mV @ 1mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 2pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | EMD2 |
| 其它名称 | RB751S-40TE61CT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 封装/箱体 | SOD-523 |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度-结 | 125°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 uA at 10 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.37 V at 0.001 A |
| 正向连续电流 | 0.03 A |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 30mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Single |
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