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- 型号： BLF184XRSU
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF184XRSU由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF184XRSU价格参考。NXP SemiconductorsBLF184XRSU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 100mA 108MHz 23.9dB 700W LDMOST。您可以下载BLF184XRSU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF184XRSU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF184XRSU是Ampleon USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、介质加热、等离子体生成和射频激励光源等。其工作频率范围覆盖1 MHz至50 MHz，具备高效率和高增益特性，适合在连续波（CW）和脉冲模式下运行。 BLF184XRSU采用坚固的封装设计，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温和高负载条件下长期稳定工作，因此广泛应用于需要高耐用性和高性能的工业设备中。此外，该器件支持大电流和高电压操作，输出功率可达数百瓦，非常适合对功率要求较高的射频电源系统。 由于其出色的射频性能和稳定性，BLF184XRSU也常用于广播发射机、HF/VHF通信系统以及特种军事或航空电子设备中的射频功率放大级。整体而言，这款MOSFET特别适用于需要高效、高可靠性和宽频带响应的中高频射频功率放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 650W LDMOS SOT1214B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF184XRSU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT1214B |
| 其它名称 | 934067849112 |
| 功率-输出 | 700W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23.9dB |
| 封装/外壳 | SOT-1214B |
| 晶体管类型 | LDMOS （双）， 共源 |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 135V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 108MHz |
| 额定电流 | - |
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