Datasheet下载- 型号： FQP9N30
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP9N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP9N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQP9N30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP9N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP9N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP9N30 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)：FQP9N30 的高电压耐受能力（最大漏源极电压 Vds = 300V）和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以高效地控制电流的通断，从而实现电压转换。 2. 电机驱动：该器件适用于中小功率电机驱动器，例如步进电机、直流无刷电机等。其低 Rds(on) 特性（在典型条件下为 0.65Ω）能够减少功率损耗，提高电机运行效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或 UPS 系统中，FQP9N30 可作为开关元件使用，帮助将直流电转换为交流电。其快速开关速度和良好的热性能有助于提升系统的整体效率。 4. 负载开关：在需要频繁开启和关闭负载的应用中，如汽车电子设备或家用电器，FQP9N30 能够提供可靠的切换功能，并且具备较低的压降。 5. 电池保护电路：对于需要过流保护或短路保护的电池管理系统，这款 MOSFET 可以用作保护开关，在异常情况下迅速切断电流路径以保护电池和其他组件。 6. 继电器替代方案：由于 FQP9N30 具有长寿命和高可靠性的特点，它常被用作固态继电器来替代传统机械继电器，特别是在高频操作环境中。 7. LED 驱动器：在高亮度 LED 照明系统中，该器件可以用来调节电流，确保 LED 的亮度稳定且一致。 总之，FQP9N30 凭借其出色的电气特性和耐用性，广泛应用于各种工业、消费类电子产品及汽车领域中的功率管理与控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 9A TO-220MOSFET 300V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP9N30QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP9N30 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 98 W |
| Pd-功率耗散 | 98 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 98W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
| 系列 | FQP9N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP9N30_NL |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/SR-350 1／8" BL48"BK.jpg)
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