Datasheet下载- 型号： NVMFS5834NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5834NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5834NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS5834NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS5834NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS5834NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFS5834NLT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号以其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的性能而著称，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 电源管理 该 MOSFET 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（典型值为 2.9 mΩ），可以有效降低功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，NVMFS5834NLT1G 可作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高效电机控制。 3. 电池管理系统（BMS） 该器件可用于电池保护电路中，作为充电/放电路径的开关，确保电池在安全范围内工作。其低 Rds(on) 特性有助于减少电池充放电过程中的能量损失。 4. 负载开关 在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，NVMFS5834NLT1G 可用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理，同时减少待机功耗。 5. 逆变器和太阳能微逆变器 该 MOSFET 可用于光伏逆变器或微型逆变器中，作为功率转换的关键元件，帮助将直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。 6. LED 驱动器 在 LED 照明应用中，NVMFS5834NLT1G 可用于恒流或恒压驱动电路中，提供高效的功率转换和精确的电流控制。 7. 工业自动化 在工业控制系统中，该 MOSFET 可用于继电器驱动、电磁阀控制和其他需要高效开关的场合。 总结来说，NVMFS5834NLT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域，是高性能功率转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVMFS5834NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVMFS5834NLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 107 W |
| Pd-功率耗散 | 107 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 56.4 ns |
| 下降时间 | 6.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1231pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 17.4 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 29 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 75A （Tc） |
| 系列 | NVMFS5834NL |
| 配置 | Single |
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