ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FCD7N60TM
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FCD7N60TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD7N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD7N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFCD7N60TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak。您可以下载FCD7N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD7N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD7N60TM是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): FCD7N60TM具有600V的耐压能力和低导通电阻(Rds(on)),非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以高效地控制功率传输,广泛应用于适配器、充电器以及DC-DC转换器。 2. 电机驱动: 在电机控制电路中,这款MOSFET可以用作开关元件,用于调节电机的速度和方向。其高电压耐受能力使其适用于高压电机驱动场景,例如工业电机、家用电器(如洗衣机、空调等)中的电机控制。 3. 逆变器: 该器件适合用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)等需要将直流电转换为交流电的应用。它的快速开关特性和高耐压能力可以提高逆变器的效率和可靠性。 4. 电磁阀和继电器驱动: FCD7N60TM可用于驱动电磁阀或继电器,尤其是在需要高电压切换的应用中。它能够承受瞬态高压,并提供稳定的电流输出。 5. PFC(功率因数校正)电路: 在功率因数校正电路中,这款MOSFET可以用作主开关管,帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。 6. 工业自动化设备: 该器件适用于各种工业自动化设备中的功率控制模块,例如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,用于实现精确的功率管理和控制。 7. 电动汽车和混合动力汽车(EV/HEV): 虽然FCD7N60TM不是专门为汽车设计的,但其性能特点也适用于某些非核心高压电路,例如辅助电源系统或小型电机控制。 总结来说,FCD7N60TM凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高压、高频功率转换和控制场景,尤其在消费电子、工业设备和能源管理领域有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A DPAKMOSFET N-CH/600V/7A SuperFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD7N60TMSuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCD7N60TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 530 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 530 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD7N60TM-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
| 系列 | FCD7N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |