Datasheet下载- 型号： SIHW23N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHW23N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHW23N60E-GE3价格参考。VishaySIHW23N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHW23N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHW23N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHW23N60E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压（600V）、大电流（23A）特性，适用于多种高效率功率转换场合。该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源供应器：用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，实现高效的能量转换，适用于适配器、充电器和工业电源。 2. 电机驱动：适用于交流/直流电机控制电路，提供快速开关和低导通损耗，提高驱动效率。 3. 照明系统：用于 LED 照明或 HID 灯的驱动电路中，支持高频开关，提升系统稳定性。 4. 家电控制：如变频空调、洗衣机等家用电器中的功率控制模块，具备高可靠性和耐久性。 5. 工业自动化：用于逆变器、UPS（不间断电源）和工业控制系统中，满足高电压和高电流需求。 该 MOSFET 采用高性能沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，适合高频开关应用，有助于减小系统体积并提高能效。其封装形式（如 TO-247）便于散热和安装，适用于多种工业环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHW23N60E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2418pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 158 毫欧 @ 12A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
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