Datasheet下载- 型号： FDS6670A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6670A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6670A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6670A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6670A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6670A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6670A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：FDS6670A 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动：该器件可应用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关：在便携式电子设备中，FDS6670A 可用作高效的负载开关，实现对不同负载的快速切换，同时减少功耗。 4. 电池管理：在电池供电设备中，这款 MOSFET 可用于电池保护电路，提供过流保护和短路保护功能。 5. LED 驱动：FDS6670A 能够用作 LED 照明系统的驱动开关，确保高效率和稳定的工作性能。 6. 通信设备：适用于手机充电器、路由器等通信设备中的信号路径控制和功率管理。 7. 消费类电子产品：如平板电脑、笔记本电脑适配器等产品中的电源管理和信号切换。 8. 汽车电子：尽管 FDS6670A 不是专门为汽车设计，但在某些非关键性车载应用中也可以使用，比如车内照明控制或辅助设备的电源管理。 总之，FDS6670A 凭借其出色的电气特性和可靠性，在各种需要高效功率转换和开关操作的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET SO-8 N-CH 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6670APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6670A |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6670ACT |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 系列 | FDS6670 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS6670A_NL |
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