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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK80N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK80N60P3价格参考。IXYSIXFK80N60P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK80N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK80N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFK80N60P3是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。该型号属于高压功率MOSFET,主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):IXFK80N60P3的高电压耐受能力(600V击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动:由于其低导通电阻(典型值为0.18Ω)和快速开关特性,该MOSFET适用于各种电机控制应用,例如工业自动化设备中的伺服电机驱动、家用电器中的无刷直流电机驱动等。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中,IXFK80N60P3可以作为关键的功率开关元件,实现高效的能量转换。 4. 负载切换:在需要高可靠性负载切换的应用中,如汽车电子系统或工业控制系统,该器件能够提供稳定的性能和保护功能。 5. PFC电路(功率因数校正):IXFK80N60P3可用于提升功率因数的Boost电路中,以满足现代电子设备对高效能源利用的需求。 6. 电动工具:由于其坚固的设计和良好的散热性能,这款MOSFET也广泛应用于便携式电动工具中,确保长时间运行时的稳定性和安全性。 总的来说,IXFK80N60P3凭借其优异的电气特性和耐用性,适合于多种高电压、大电流以及需要高效能转换的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 80A TO264MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK80N60P3Polar3™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFK80N60P3 |
Pd-PowerDissipation | 1300 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 kW |
Qg-GateCharge | 190 nC |
Qg-栅极电荷 | 190 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
功率-最大值 | 1300W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | TO-264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 90 S, 55 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
系列 | IXFK80N60 |
配置 | Single |