Datasheet下载- 型号： FDU8778
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8778由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8778价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8778封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8778参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8778 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8778 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能，广泛用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率和降低功耗。 2. 电池供电设备：包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源开关和功率调节模块。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机启停和转速的控制。 4. 工业自动化：用于PLC、工业电源和控制模块中的功率开关，实现对负载的高效控制。 5. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 FDU8778凭借其高可靠性和优异的性能，适用于需要高效、紧凑功率解决方案的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8778 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 845pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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