Datasheet下载- 型号： SQD50N04-09H-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SQD50N04-09H-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQD50N04-09H-GE3价格参考。VishaySQD50N04-09H-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SQD50N04-09H-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SQD50N04-09H-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SQD50N04-09H-GE3是一款N沟道MOSFET晶体管，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM），提供高效的功率转换和较低的能量损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，SQD50N04-09H-GE3可用于驱动直流电机或步进电机，实现精确的速度和方向控制。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，该器件能够快速、可靠地接通或切断电路中的负载，同时保持低功耗。 4. 电池保护：在便携式电子设备中，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑，这款MOSFET可用于电池保护电路，防止过流、短路等异常情况。 5. 逆变器：在小型光伏逆变器或其他类型的逆变器中，SQD50N04-09H-GE3可作为关键的开关元件，实现直流到交流的转换。 6. LED驱动：用于高亮度LED驱动电路中，提供稳定的电流输出并减少热量产生。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，这款MOSFET可用于信号放大、传感器接口以及各种执行器的驱动。 由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，SQD50N04-09H-GE3能够在高频工作条件下保持较低的温升，非常适合对效率和散热要求较高的应用场合。此外，其紧凑的封装形式使其成为空间受限设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SQD50N04-09H-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | SQD50N04-09H-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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