Datasheet下载- 型号： NTD24N06-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD24N06-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD24N06-1G价格参考。ON SemiconductorNTD24N06-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD24N06-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD24N06-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD24N06-1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、风扇、泵等。 3. 负载开关：用于控制电源通断，如在电池供电设备中作为开关元件。 4. 照明系统：如LED驱动电路中作为调光或开关元件。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车灯控制等对可靠性要求较高的场景。 该器件具有低导通电阻、高耐压（60V）、较高电流承载能力（连续漏极电流24A），适合中高功率应用，封装为DPAK，便于散热和安装。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD24N06-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.36W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta） |
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