ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK10A60D(STA4,Q,M)
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Datasheet下载- 型号： TK10A60D(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK10A60D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10A60D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10A60D(STA4,Q,M)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK10A60D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK10A60D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK10A60D(STA4,Q,M)是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备和系统中。该型号具有以下特点：耐压高（600V）、导通电阻低、开关速度快，适合用于需要高效能和可靠性的应用场景。 应用场景 1. 电源管理： - TK10A60D常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。其高耐压特性和低导通电阻使其能够在高压环境下稳定工作，减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动： - 在电机控制系统中，如电动工具、家用电器和工业自动化设备，TK10A60D可用于驱动直流电机或步进电机。它能够快速响应控制信号，实现精确的速度和位置控制。 3. 逆变器： - 该MOSFET适用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，用于将直流电转换为交流电。其高效的开关特性有助于提高逆变器的整体性能和可靠性。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护等安全电路中，TK10A60D可以作为开关元件使用。当检测到异常电流时，MOSFET迅速切断电路，保护其他敏感元件免受损坏。 5. 汽车电子： - 汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明驱动、车身控制系统等，TK10A60D凭借其高可靠性和耐高温特性，确保在恶劣环境下的稳定运行。 6. 消费电子产品： - 在笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等消费电子产品中，TK10A60D用于实现高效电源管理和快速充电功能。 7. 工业控制： - 工业自动化设备中的PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等部分也常用到这种MOSFET，以实现对各种负载的精准控制。 总之，Toshiba的TK10A60D(STA4,Q,M)因其优异的电气特性，在多个领域都有广泛应用，特别是在需要高效、可靠电力转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK10A60D(STA4,Q,M)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A60D点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TK10A60D(STA4,Q,M)TK10A60D(STA4,Q,M) |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK10A60DSTA4QM |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 750 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 配置 | Single |
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