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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP5862NG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP5862NG价格参考。ON SemiconductorNTP5862NG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTP5862NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP5862NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NTP5862NG是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于多种中高功率应用场景。 典型应用包括:电源管理电路,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器,能够有效提升能效并降低功耗;电机驱动系统,广泛用于家用电器、电动工具和工业控制设备中,实现对电机的高效控制;LED照明驱动电源,支持高效率恒流输出,适用于大功率LED照明解决方案;此外,也常用于逆变器、电池管理系统(BMS)和电源逆变装置中,承担功率开关功能。 NTP58627NG采用TO-220或DPAK等封装形式,具备良好的散热性能和可靠性,适合在工业环境、汽车电子外围设备及消费类电子产品中使用。其高耐用性和稳定性能使其在要求严苛的应用中表现出色,是现代节能与高效电力电子设计中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V TO-220-3MOSFET 60V T2 TO220 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 98 A |
| Id-连续漏极电流 | 98 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP5862NG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTP5862NG |
| Pd-PowerDissipation | 115 W |
| Pd-功率耗散 | 115 W |
| Qg-GateCharge | 82 nC |
| Qg-栅极电荷 | 82 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.7 毫欧 @ 45A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 98A (Tc) |
| 系列 | NTP5862N |
| 配置 | Single |