Datasheet下载- 型号： SSM6K217FE,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6K217FE,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6K217FE,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6K217FE,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6K217FE,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6K217FE,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6K217FE,LF 是东芝半导体与存储（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类小型电子设备中。该器件采用紧凑的封装形式（通常为DFN或SOP类型），具备低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适合在便携式电子产品中使用。 其主要应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理电路，如负载开关、电池供电切换、DC-DC转换器的同步整流部分。由于其P沟道结构，常用于低边或高边开关设计，简化驱动电路，提升系统能效。 此外，SSM6K217FE,LF 也适用于各种小型家电、物联网（IoT）终端设备和无线通信模块中的信号控制与电源控制环节。其“LF”后缀表示产品符合无铅环保要求，满足RoHS标准，适合对环保和可靠性要求较高的工业及消费类应用。 总体而言，SSM6K217FE,LF 凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，是现代低功耗、高密度电子系统中理想的开关元件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K217FE |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SSM6K217FE,LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.1nC @ 4.2V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 195 毫欧 @ 1A， 8V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | SSM6K217FELFDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
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