【未分类_BUK7E1R9-40E,127】封装/厂家_BUK7E1R9-40E,127中文资料_价格

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型号： BUK7E1R9-40E,127
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E1R9-40E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E1R9-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E1R9-40E,127封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BUK7E1R9-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7E1R9-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7E1R9-40E,127 是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型器件。以下是该型号的应用场景分析：

 1. 电源管理
   - 开关电源（SMPS）：BUK7E1R9-40E,127 具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适合用于高效能的开关电源设计。
   - DC-DC 转换器：可用于降压、升压或升降压转换器中，作为主开关或同步整流器，提高效率并减少功率损耗。
   - 负载开关：在需要快速开启/关闭负载电流的应用中，如便携式设备、USB 接口保护等。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器（如风扇、泵）中的电机驱动电路。
   - H 桥电路：可作为 H 桥的一部分，用于双向控制电机的旋转方向。
   - 步进电机驱动：在需要精确控制的步进电机应用中，提供高效的电流切换能力。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 电池保护：用于锂电池或铅酸电池的过流、短路保护电路。
   - 充放电控制：通过 MOSFET 的开关特性实现对电池充放电过程的精确管理。

 4. 工业自动化
   - 信号隔离与放大：在工业控制领域，用于信号传输和功率放大。
   - 继电器替代：由于其快速开关特性和可靠性，可替代传统机械继电器用于高频开关场景。

 5. 消费电子
   - 音频放大器：在便携式音响或耳机放大器中，用作输出级开关。
   - LED 驱动：用于驱动高亮度 LED 或 LED 灯条，确保稳定电流输出。
   - 智能家电：如冰箱、空调、洗衣机等设备中的功率控制模块。

 6. 通信设备
   - 信号调节：在通信基站或路由器中，用于信号路径的开关和调节。
   - 电源备份系统：在不间断电源（UPS）中，作为关键的功率开关元件。

 总结
BUK7E1R9-40E,127 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on)、高耐压、快速开关速度），广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化以及消费电子产品等领域。具体应用场景取决于其工作电压（40V）、持续电流能力（约 9A）以及散热设计要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAKMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	120 A
Id-连续漏极电流	120 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7E1R9-40E,127-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BUK7E1R9-40E,127
Pd-PowerDissipation	324 W
Pd-功率耗散	324 W
Qg-GateCharge	118 nC
Qg-栅极电荷	118 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	49 ns
下降时间	52 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	9700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	118nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.9 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I2PAK
其它名称	568-10286 934066982127 BUK7E1R9-40E,127-ND
典型关闭延迟时间	87 ns
功率-最大值	324W
包装	管件
商标	NXP Semiconductors
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	I2PAK-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	120A （Tc）
配置	Single