【未分类_IXTK40P50P】封装/厂家_IXTK40P50P中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IXTK40P50P
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK40P50P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK40P50P价格参考。IXYSIXTK40P50P封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IXTK40P50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTK40P50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTK40P50P是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于高电压、高效率的电力电子领域。以下是其典型应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IXTK40P50P具有较高的额定电压（500V）和较低的导通电阻（典型值为0.85Ω），适用于开关电源中的功率开关，如反激式、正激式或半桥/全桥拓扑结构。

2. 电机驱动：  
   该器件可用于工业电机驱动系统，特别是在高压环境下控制直流电机或步进电机的速度和方向，提供高效且可靠的开关性能。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IXTK40P50P可以作为主开关管，用于将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换过程。

4. 负载切换与保护：  
   由于其高耐压特性，该MOSFET适合用作负载切换开关，能够在过载或短路情况下快速切断电路，从而保护系统免受损害。

5. DC-DC转换器：  
   在高压输入的DC-DC转换器中，IXTK40P50P能够实现稳定的电压调节功能，适用于汽车电子、通信设备等领域。

6. 电磁阀和继电器驱动：  
   该MOSFET可用来驱动电磁阀或继电器等感性负载，确保在高压条件下可靠工作，并减少能耗。

7. 电动工具：  
   高压电动工具（如电钻、割草机等）可能需要使用IXTK40P50P来控制电机运行，以满足对效率和耐用性的要求。

总之，IXTK40P50P凭借其优异的电气参数和稳定性，广泛应用于各种高压、大电流的电力电子设备中，为系统提供高效、安全的功率管理解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET P-CH 500V 40A TO-264MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 40 A
Id-连续漏极电流	- 40 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXTK40P50PPolarP™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXTK40P50P
Pd-PowerDissipation	890 W
Pd-功率耗散	890 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	230 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	230 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 500 V
Vds-漏源极击穿电压	- 500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	11500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	205nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	230 毫欧 @ 20A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-264 （IXTK）
功率-最大值	890W
包装	管件
单位重量	10 g
商标	IXYS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
封装/箱体	TO-264-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	40A （Tc）
系列	IXTK40P50
配置	Single