Datasheet下载- 型号： SI2342DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2342DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2342DS-T1-GE3价格参考￥1.04-￥1.04。VishaySI2342DS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2342DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2342DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2342DS-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的负载开关、电源切换和电池管理电路。由于其小尺寸和高效性能，特别适合空间受限的高密度PCB设计。此外，SI2342DS-T1-GE3也常用于DC-DC转换器中的同步整流、LED驱动电路以及各类低电压控制开关应用。其-20V的漏源电压和-3.5A的连续漏极电流能力，使其在中低功率场景中表现出良好的可靠性与稳定性。整体而言，该MOSFET适用于需要高效能、小型化和低功耗的电子系统，是现代便携式和电池供电设备中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI2342DS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1070pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 7.2A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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