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Datasheet下载- 型号： SI2304DS,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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SI2304DS,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2304DS,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2304DS,215价格参考￥0.77-￥0.77。NXP SemiconductorsSI2304DS,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB。您可以下载SI2304DS,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2304DS,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 SI2304DS,215 是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于低电压、中等电流的开关和功率管理应用。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式电子设备。 SI2304DS,215 典型应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关、负载开关或电池管理电路；在DC-DC转换器中作为同步整流或控制开关使用；也可用于LED驱动电路中的开关控制。由于其具备较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的开关特性，能有效降低功耗，提升系统效率。 此外，该MOSFET适用于需要低阈值电压控制的场合，可直接由逻辑信号驱动，因此广泛应用于各类便携式设备和嵌入式系统中的信号切换与电源管理模块。其稳定性和可靠性也使其在工业控制、通信模块和小型家电中得到广泛应用。 总之，SI2304DS,215凭借小封装、高性能和高可靠性，主要服务于对空间和能效要求较高的现代电子设备，在电源管理与信号控制领域具有重要价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23MOSFET TAPE-7 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors SI2304DS,215TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2304DS,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 117 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 117 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 7.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 195pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 117 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-5957-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 117 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 1.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2304DS T/R |
