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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SUM110N04-03-E3 是一款N沟道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗的电源管理系统中。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的热插拔控制与过流保护;以及DC-DC转换器中用于降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构,提升转换效率。此外,它也适用于电机驱动电路、LED驱动电源和各类消费类电子产品中的开关电源模块。 由于其符合RoHS标准且采用小型封装(如PowerPAK SO-8),SUM110N04-03-E3特别适合空间受限但对散热性能和电气性能要求较高的紧凑型设计。同时,该MOSFET具备良好的栅极耐压能力,提高了系统在瞬态电压环境下的可靠性。 综上,SUM110N04-03-E3是一款适用于高效率电源管理、便携设备和工业控制等领域的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SUM110N04-03-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |