Datasheet下载- 型号： NTMFS4926NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4926NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4926NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4926NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4926NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4926NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4926NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：NTMFS4926NT1G 的低 Rds(on) 和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等。 - 电压调节模块 (VRM)：在计算机主板、服务器和其他需要高效电压调节的设备中，该 MOSFET 可用作同步整流器或主开关。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC），提供高效的功率传输和精确的电流控制。 - H 桥电路：在 H 桥配置中，NTMFS4926NT1G 可用于实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护：该 MOSFET 可用于电池组的充放电路径控制，确保电池在安全范围内工作。 - 负载切换：在便携式设备中，可用作负载开关以实现快速断开或接通负载的功能。 4. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和智能手机：用于充电电路、电源适配器和内部电源管理单元 (PMU)。 - 音频放大器：作为功率级元件，用于 D 类音频放大器中，提供高效的音频信号放大。 5. 工业应用 - 工业自动化：用于可编程逻辑控制器 (PLC)、伺服驱动器和其他工业设备中的功率控制。 - LED 驱动器：在大功率 LED 照明系统中，用作电流调节器或开关元件，确保 LED 的稳定运行。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等，利用其高可靠性和耐高温性能。 - 逆变器和转换器：在混合动力汽车 (HEV) 和电动汽车 (EV) 中，可用于电池管理系统和逆变器模块。 总结 NTMFS4926NT1G 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其低导通电阻和快速开关能力使其成为高效功率转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FLMOSFET TRENCH 3.1 30V 7 Ohm NCH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4926NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4926NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 2.7 W |
| Pd-功率耗散 | 2.7 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 36.9 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1004pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4926NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14.7 ns |
| 功率-最大值 | 920mW |
| 功率耗散 | 2.7 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 8.7 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 44A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4926N |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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