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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH22N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH22N50P价格参考。IXYSIXTH22N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH22N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH22N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH22N50P是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管,常用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效转换和调节电压。 2. 电机驱动器:在工业自动化设备和机器人中,用于控制电机的启停与转速。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备,将直流电转换为交流电。 4. 开关电源(SMPS):广泛应用于计算机电源、服务器电源及工业电源模块中,提供高效的开关控制。 5. 负载开关与电源管理:在需要精确控制负载通断的场合,如智能电表、工业控制系统中。 该MOSFET具有高耐压(500V)、较大导通电流能力(22A)和低导通电阻特性,适合中高功率应用。其封装形式(TO-247)便于散热,适用于需要稳定性和高效率的工业与电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247MOSFET 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH22N50PPolarHV™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH22N50P |
| Pd-PowerDissipation | 350 W |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 (IXTH) |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 350W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHV |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
| 系列 | IXTH22N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |