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Datasheet下载- 型号： STL19N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STL19N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL19N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL19N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTL19N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 2.3A（Ta），12.5A（Tc） 2.8W（Ta），90W（Tc） PowerFlat™（8x8） HV。您可以下载STL19N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL19N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STL19N65M5是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管 - FET类别中的MOSFET单管产品。该器件采用先进的MDmesh™ M5技术，具有650V的高击穿电压和低导通电阻（典型值约0.18Ω），适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中，作为主开关管或辅助开关，实现高效能量转换。 2. LED照明驱动：适用于大功率LED路灯、工业照明等恒流驱动电路，支持高能效和高可靠性运行。 3. PFC（功率因数校正）电路：在升压式PFC拓扑中作为开关元件，提升系统功率因数，满足能效标准（如Energy Star、IEC 61000-3-2）。 4. 太阳能逆变器：用于光伏微逆变器或组串式逆变器的DC-DC转换级，提高能量利用率。 5. 电机驱动：适用于中小功率家电或工业电机控制中的功率开关模块。 STL19N65M5具备优异的雪崩耐受能力和高温工作稳定性（最高结温150°C），同时封装形式（如TO-220FP、D²PAK）便于散热设计，适合紧凑型高功率应用。凭借意法半导体成熟的制造工艺，该器件在可靠性和性价比方面表现突出，是中高功率电源系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12.5A PWRFLAT88MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 12.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL19N65M5MDmesh™ V |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL19N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 90 W |
| Pd-功率耗散 | 90 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 710 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 710 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 7.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ （8x8） HV |
| 其它名称 | 497-14538-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 8x8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta）， 12.5A （Tc） |
| 系列 | STL19N65 |
| 配置 | Triple Common Source |
