【未分类_NVB5860NLT4G】封装/厂家_NVB5860NLT4G中文资料_价格

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型号： NVB5860NLT4G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NVB5860NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB5860NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVB5860NLT4G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NVB5860NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVB5860NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NVB5860NLT4G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括：

1. 开关电源 (SMPS)：  
   NVB5860NLT4G 适用于开关模式电源的设计，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。它具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds），能够高效处理功率转换中的开关操作。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制和电流承载能力，适合家用电器、工业设备和消费电子中的电机控制。

3. 电池管理：  
   在电池管理系统中，NVB5860NLT4G 可用作充电/放电路径的开关，实现对锂电池或其他可充电电池的保护和管理。

4. 负载切换：  
   它可以作为负载开关使用，控制不同负载的通断状态，例如在汽车电子、通信设备和计算机外围设备中。

5. 逆变器应用：  
   该器件适用于小型光伏逆变器或 UPS 系统，帮助实现高效的能量转换和输出波形调节。

6. LED 驱动：  
   NVB5860NLT4G 可用于高亮度 LED 的驱动电路中，提供稳定的电流输出以确保 LED 的亮度一致性和寿命。

7. 汽车电子：  
   由于其高耐压特性和可靠性，这款 MOSFET 可广泛应用于汽车电子系统中，如车身控制模块、灯光控制系统和信息娱乐系统。

总之，NVB5860NLT4G 凭借其出色的电气性能和稳定性，适合需要高效功率管理的各种工业、消费和汽车应用领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 60V 169A D2PAKMOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	220 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVB5860NLT4G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NVB5860NLT4G
Pd-PowerDissipation	283 W
Pd-功率耗散	283 W
RdsOn-漏源导通电阻	2.8 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	60 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13216pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	220nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3 毫欧 @ 20A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	*
典型关闭延迟时间	98 ns
功率-最大值	283W
包装	*
商标	ON Semiconductor
安装类型	*
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.8 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	*
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	800
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	220 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	220A （Ta）
系列	NVB5860NL
配置	Single Dual Drain