Datasheet下载- 型号： MVGSF1N02LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MVGSF1N02LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MVGSF1N02LT1G价格参考。ON SemiconductorMVGSF1N02LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MVGSF1N02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MVGSF1N02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MVGSF1N02LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，适用于多种低电压、中功率应用场景。该器件具有低导通电阻、小型封装和良好热性能，适合用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理电路，适用于便携式设备、电源适配器等。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，如无人机、电动玩具、风扇控制等。 3. LED照明：作为开关元件用于LED驱动电路，实现调光与节能功能。 4. 工业自动化：在PLC、传感器模块、继电器替代方案中用于信号控制与功率切换。 5. 消费类电子产品：如智能家电、智能门锁、充电器等，满足高效能与小型化设计需求。 6. 汽车电子：用于车载设备中的电源控制、照明系统或辅助电机控制，符合AEC-Q101标准，具备一定车规级可靠性。 该MOSFET采用TSOP封装，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产与高密度PCB布局。因其良好的性能与成本优势，广泛应用于中低功率开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MVGSF1N02LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 125pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
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