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  • 型号: SI2303CDS-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2303CDS-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2303CDS-T1-E3价格参考。VishaySI2303CDS-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI2303CDS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2303CDS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI2303CDS-T1-E3 是一款 N 沤道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:该 MOSFET 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中,作为开关元件以实现高效的电压转换。
   - 负载开关:在便携式设备中,SI2303CDS-T1-E3 可用作负载开关,控制电路的通断,减少功耗并保护电路。
   - 电池管理:适用于锂电池充电和放电管理,提供低导通电阻(Rds(on))以降低能量损耗。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,支持快速开关和高效运行。
   - H 桥电路:在 H 桥电路中,该 MOSFET 可用于双向电机控制,实现正转、反转及刹车功能。

 3. 消费电子
   - 手机和平板电脑:应用于移动设备中的电源管理和信号切换。
   - 音频设备:用于音频放大器中的开关或保护电路,确保信号的稳定性和可靠性。

 4. 工业应用
   - 开关电源 (SMPS):作为主开关器件,用于高频开关电源中,提高效率并减小体积。
   - 逆变器:在小型逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:如导航系统、娱乐系统等,用于电源管理和信号切换。
   - LED 驱动:用于驱动车灯或车内 LED 照明,提供稳定的电流输出。

 特性优势
- 低导通电阻:典型值为 6.5 mΩ(Vgs = 4.5 V),有助于降低功耗和发热。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 小封装尺寸:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。

综上所述,SI2303CDS-T1-E3 广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景,特别适合消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.9 A

Id-连续漏极电流

1.9 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si2303CDS-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

Si2303CDS-T1-E3SI2303CDS-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

190 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

37 ns

下降时间

37 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

155pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 1.9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

2.3W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI2303CDS-E3

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