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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2303CDS-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2303CDS-T1-E3价格参考。VishaySI2303CDS-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI2303CDS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2303CDS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2303CDS-T1-E3 是一款 N 沤道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:该 MOSFET 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中,作为开关元件以实现高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中,SI2303CDS-T1-E3 可用作负载开关,控制电路的通断,减少功耗并保护电路。 - 电池管理:适用于锂电池充电和放电管理,提供低导通电阻(Rds(on))以降低能量损耗。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,支持快速开关和高效运行。 - H 桥电路:在 H 桥电路中,该 MOSFET 可用于双向电机控制,实现正转、反转及刹车功能。 3. 消费电子 - 手机和平板电脑:应用于移动设备中的电源管理和信号切换。 - 音频设备:用于音频放大器中的开关或保护电路,确保信号的稳定性和可靠性。 4. 工业应用 - 开关电源 (SMPS):作为主开关器件,用于高频开关电源中,提高效率并减小体积。 - 逆变器:在小型逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如导航系统、娱乐系统等,用于电源管理和信号切换。 - LED 驱动:用于驱动车灯或车内 LED 照明,提供稳定的电流输出。 特性优势 - 低导通电阻:典型值为 6.5 mΩ(Vgs = 4.5 V),有助于降低功耗和发热。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 小封装尺寸:采用 DPAK 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 综上所述,SI2303CDS-T1-E3 广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景,特别适合消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si2303CDS-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | Si2303CDS-T1-E3SI2303CDS-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 37 ns |
下降时间 | 37 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 155pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 1.9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI2303CDS-E3 |