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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5111DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5111DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5111DR2G封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC。您可以下载NCP5111DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NCP5111DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP5111DR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能栅极驱动器,属于PMIC(电源管理集成电路)中的栅极驱动器类别。该器件主要用于驱动功率MOSFET、IGBT等开关器件,在高频开关电源系统中发挥关键作用。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛应用于AC-DC和DC-DC转换器中,如服务器电源、通信电源和工业电源模块,用于高效控制功率开关的导通与关断。 2. 电源适配器与充电器:适用于高能效要求的笔记本电脑、消费电子设备的电源适配器,提升转换效率并减小体积。 3. 照明电源:用于LED驱动电源,尤其是在高亮度LED或户外照明系统中,支持PFC(功率因数校正)电路中的半桥或全桥拓扑结构。 4. 电机驱动:在小型工业电机、风扇或家用电器的变频控制中,作为桥式驱动的核心元件,实现精确的开关时序控制。 5. 光伏逆变器与新能源系统:在太阳能微逆变器或储能系统中,用于驱动高频开关管,提高系统整体能效和可靠性。 NCP5111DR2G采用SOIC-8封装,具备高低侧驱动能力、集成自举二极管、高抗噪能力和快速开关响应,工作温度范围宽,适合工业级应用环境。其低传播延迟和匹配性优异的上下管驱动特性,有助于减少死区时间,提升系统效率。综合来看,该芯片适用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的中低功率电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NCP5111DR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NCP5111DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 750ns |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 10 V ~ 20 V |
| 电流-峰值 | 250mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 600V |