【未分类_FDP150N10】封装/厂家_FDP150N10中文资料_价格

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型号： FDP150N10
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP150N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP150N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP150N10封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDP150N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP150N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP150N10 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   FDP150N10 的高电压耐受能力（100V）和低导通电阻（典型值为 0.15 Ω）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流流动，减少能量损耗。

2. 电机驱动：  
   在小型电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。其低导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。

3. DC-DC 转换器：  
   FDP150N10 可作为同步整流器或主开关 MOSFET，在 DC-DC 转换器中提供高效的电压转换功能。其快速开关特性和低栅极电荷使其适合高频应用。

4. 负载开关：  
   在需要动态控制电路中负载通断的应用中，这款 MOSFET 可以用作负载开关，确保快速响应和低功耗。

5. 电池管理：  
   该器件适用于电池保护电路，例如防止过流、短路等情况。其低导通电阻特性可减少电池放电时的功率损失。

6. 逆变器：  
   在小型逆变器中，FDP150N10 可用于将直流电转换为交流电，支持家用电器或其他设备的供电需求。

7. 汽车电子：  
   由于其坚固的设计和良好的热性能，FDP150N10 可应用于汽车电子领域，如车窗升降器、雨刷器控制系统等。

8. LED 驱动：  
   在 LED 照明系统中，这款 MOSFET 可用于调节电流，确保 LED 的亮度稳定并延长使用寿命。

总结来说，FDP150N10 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，尤其适合需要高效功率转换和低损耗的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 57A TO-220MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	57 A
Id-连续漏极电流	57 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP150N10PowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDP150N10
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	12 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	12 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	164 ns
下降时间	83 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4760pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	69nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15 毫欧 @ 49A，10V
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	86 ns
功率-最大值	110W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	57A （Tc）
系列	FDP150N10
通道模式	Enhancement
配置	Single