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  • 型号: STH240N75F3-6
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STH240N75F3-6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH240N75F3-6价格参考。STMicroelectronicsSTH240N75F3-6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STH240N75F3-6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH240N75F3-6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的STH240N75F3-6是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能,适用于以下主要领域:

1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源(SMPS),用于提高能效和减小系统体积。

2. 电机驱动与控制:在工业自动化、电动工具和家电中,作为电机驱动电路中的开关元件,实现高效、快速的电机控制。

3. 电动汽车与充电桩:用于车载充电器、DC-DC转换器及充电桩电源模块,满足高可靠性和高效率的要求。

4. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和储能系统,适用于高频率开关应用,提高能量转换效率。

5. 工业自动化与电机控制:如伺服驱动器、变频器等设备中,提供高稳定性和耐久性的功率开关解决方案。

6. 消费类电子产品:如高性能电源管理模块、LED照明驱动等,满足对效率和空间限制的高要求。

该MOSFET采用先进的封装技术,具备良好的散热性能,适合高功率密度设计,是追求高效能与高可靠性的功率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAKMOSFET N-channel 75V 210A STripFET III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

180 A

Id-连续漏极电流

180 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH240N75F3-6STripFET™ III

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STH240N75F3-6

Pd-PowerDissipation

180 A

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 90A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

H²PAK

其它名称

497-11841-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF244657?referrer=70071840

功率-最大值

300W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)

封装/箱体

H2PAK-6

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180A (Tc)

系列

STH240N75F3-6

配置

Single

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