Datasheet下载- 型号： IRLD024
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD024由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD024价格参考。VishayIRLD024封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLD024参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLD024 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRLD024是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRLD024因其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够快速切换并有效减少能量损耗。 2. 电机控制与驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，IRLD024可以作为功率开关或H桥电路的一部分，实现电机的正转、反转和速度调节。 3. 负载切换：该器件可用于电池供电设备中的负载切换，确保设备在待机模式下消耗极低的电流，并在需要时迅速接通负载。 4. DC-DC转换器：IRLD024适用于降压、升压或升降压转换器中的同步整流，提高转换效率并降低热损耗。 5. 电池保护电路：在便携式电子设备中，IRLD024可以用作电池保护开关，防止过充、过放或短路等异常情况。 6. 音频功率放大器：在某些D类音频放大器中，IRLD024可用作输出级开关，提供高效且失真较低的音频信号放大。 7. 继电器替代：由于其快速开关特性和低功耗，IRLD024可以替代传统机械继电器，用于频繁开关的应用场景。 8. LED驱动：在大功率LED照明系统中，IRLD024可作为PWM调光开关或恒流控制元件，调节LED亮度并保持稳定的工作状态。 9. 汽车电子：在汽车应用中，例如电动窗、座椅调节、雨刷控制等，IRLD024能承受较高的电流和电压波动，同时保持可靠运行。 总之，IRLD024凭借其优异的电气性能和可靠性，在消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域有着广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIPMOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD024- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLD024IRLD024 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRLD024 |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |
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