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产品简介:
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IXYS品牌的IXTT440N055T2是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压(55V)和大电流承载能力(440A)的特点,适合用于高功率、高效率的电力电子系统中。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS),用于提高能量转换效率。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机或伺服电机的控制电路,尤其在电动车、工业自动化中。 3. 逆变器系统:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中的功率逆变环节。 4. 电池管理系统:在高功率电池充放电控制中作为开关元件使用。 5. 工业控制设备:如PLC、变频器等工业自动化装置中的功率控制部分。 6. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具、LED照明驱动等高电流应用场景。 该MOSFET采用TO-263封装,便于散热和安装,适合高电流工作环境,适用于需要高可靠性和高效率的功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 440A TO-268 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXTT440N055T2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchT2™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 405nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 毫欧 @ 100A,10V |
供应商器件封装 | TO-268 |
功率-最大值 | 1000W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 440A (Tc) |