Datasheet下载- 型号： IRLD024PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD024PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD024PBF价格参考。VishayIRLD024PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLD024PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLD024PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRLD024PBF是一款N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRLD024PBF因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用作同步整流器或降压/升压转换器中的开关元件，能够提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动：该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停、速度及方向。其低导通电阻有助于减少发热，提升系统可靠性。 3. 负载切换与保护：在消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等）中，IRLD024PBF可以用作负载开关，实现对不同负载的有效管理，并提供过流保护功能。 4. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或电动汽车的电池管理系统中，这款MOSFET可以用于电池充放电路径的控制，确保电流安全流动并防止短路。 5. 音频放大器：在D类音频放大器中，IRLD024PBF可用作输出级开关，以高效率传输音频信号，同时保持较低的失真度。 6. 继电器替代方案：由于其快速响应时间和紧凑尺寸，该MOSFET可替代传统机电继电器用于需要频繁切换的应用场合，例如汽车电子或工业自动化设备。 7. LED驱动器：对于大功率LED照明应用，此器件能高效地调节通过LED串的电流，保证亮度一致性和稳定性。 总之，凭借其卓越的电气性能和稳健的设计，IRLD024PBF成为众多低压、大电流应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIPMOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91308 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD024PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLD024PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRLD024PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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