Datasheet下载- 型号： SI4442DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4442DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4442DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4442DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4442DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4442DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4442DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该 MOSFET 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）中。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电流流动，从而减少功率损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，例如消费电子、家用电器或工业自动化设备中的电机驱动电路，SI4442DY-T1-GE3 可以用作开关元件，实现对电机速度和方向的精准控制。 3. 负载开关：适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中的负载开关功能，可以快速开启或关闭特定电路部分，以降低功耗并延长电池寿命。 4. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中，这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及防止反向充电等功能，确保电池的安全运行。 5. 信号切换：在通信设备或数据传输系统中，可用作信号路径上的切换开关，提供低插入损耗和高隔离度的性能。 6. 汽车电子：尽管具体规格需符合车规级要求，但在非关键性车载应用中，例如车窗升降器、座椅调节器或其他辅助电子系统中也可能使用此类器件。 总之，SI4442DY-T1-GE3 凭借其优良的电气特性和紧凑的封装形式，在众多需要高效功率转换与精确控制的应用领域具有广泛用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4442DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 22A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
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