【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MPSA56RLRMG】封装/厂家_MPSA56RLRMG中文资料_价格

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型号： MPSA56RLRMG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MPSA56RLRMG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSA56RLRMG价格参考。ON SemiconductorMPSA56RLRMG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 50MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载MPSA56RLRMG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPSA56RLRMG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPSA56RLRMG是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的单个双极晶体管（BJT）。这种晶体管属于NPN类型，具有低噪声特性，广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景：

1. 音频放大器：MPSA56RLRMG的低噪声特性使其非常适合用于音频放大电路，尤其是在前置放大器和低噪声放大器（LNA）中。它能够提供高增益和低失真，确保音频信号的清晰度和保真度。

2. 射频（RF）应用：该晶体管在射频电路中有广泛应用，如无线通信模块、蓝牙设备和Wi-Fi模块等。它的高频性能使得它能够在这些应用中稳定工作，确保信号传输的质量和可靠性。

3. 传感器接口：MPSA56RLRMG可以用于各种传感器接口电路，如温度传感器、压力传感器和光传感器等。它能够将微弱的传感器信号进行放大，以便后续处理和分析。

4. 电源管理：在一些低功耗和高效电源管理系统中，MPSA56RLRMG可用于开关和调节电路。它能够快速响应负载变化，保持输出电压的稳定性，同时减少能量损耗。

5. 模拟信号处理：该晶体管适用于模拟信号处理电路，如滤波器、混频器和调制解调器等。它能够精确地控制信号的幅度和相位，确保信号处理的准确性和可靠性。

6. 工业控制：在工业自动化和控制系统中，MPSA56RLRMG可用于驱动继电器、电机和其他执行器。它能够承受较大的电流和电压波动，确保系统的稳定运行。

7. 消费电子产品：MPSA56RLRMG还广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备等。它的小型封装和低功耗特性使得它非常适合这些便携式设备。

总之，MPSA56RLRMG凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，在多个领域都有重要的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS AMP PNP 80V TO-92两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSA56RLRMG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MPSA56RLRMG
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 100mA，1V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	MPSA56RLRMG-ND MPSA56RLRMGOSTB
功率-最大值	625mW
包装	带盒（TB）
发射极-基极电压VEBO	4 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	50 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Ammo Pack
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
封装/箱体	TO-92-3 (TO-226)
工厂包装数量	2000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	625 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,000
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	500mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
系列	MPSA56
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	80 V
集电极—基极电压VCBO	80 V
集电极—射极饱和电压	0.25 V
集电极连续电流	0.5 A
频率-跃迁	50MHz

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