ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI7117DN-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI7117DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7117DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7117DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7117DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 150V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7117DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7117DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7117DN-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 SI7117DN-T1-GE3常用于电源管理系统中，特别是在DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器等应用中。该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高电源效率并减少发热。此外，其快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他电动工具中，SI7117DN-T1-GE3可以作为驱动电路中的关键元件。它能够承受较大的电流波动，并且通过精确控制栅极电压来实现高效的电机速度调节和方向控制。 3. 负载切换与保护 该MOSFET也适用于负载切换和保护电路。例如，在USB端口保护、热插拔保护和过流保护等场景中，它可以快速响应并切断故障电流，防止下游设备损坏。由于其低导通电阻，即使在长时间工作状态下也能保持较低的温升，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 通信设备 在通信基站、路由器和其他网络设备中，SI7117DN-T1-GE3可用于电源管理和信号调理电路。其紧凑的封装形式（SOT-23）使其适合于空间受限的设计，而其出色的电气性能则保证了设备的高效运行。 5. 消费电子 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，该MOSFET被广泛用于电源管理模块、背光驱动以及音频放大器等部分。它的低静态电流和快速开关特性有助于延长电池寿命并提升用户体验。 总之，Vishay Siliconix的SI7117DN-T1-GE3凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7117DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 功率-最大值 | 12.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.17A (Tc) |
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