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Datasheet下载- 型号： IRLML5103TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLML5103TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML5103TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML5103TRPBF价格参考￥0.45-￥0.45。International RectifierIRLML5103TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML5103TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML5103TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLML5103TRPBF 是一款N沟道MOSFET，属于低压、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低功耗控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)典型值约8.5mΩ）和低阈值电压，适合用于电池供电设备（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等）中的电源管理与负载开关，有助于延长电池续航时间。 2. DC-DC转换器：在同步整流型降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中，IRLML5103TRPBF可作为高效开关元件，提高转换效率，适用于主板、嵌入式系统及电源模块。 3. 电机驱动：常用于微型直流电机或步进电机的驱动电路中，尤其适合小型家电、玩具、无人机舵机等低电压、小功率应用。 4. LED照明驱动：在LED恒流驱动或调光控制电路中，作为开关管使用，实现快速响应和低损耗控制。 5. 热插拔与负载开关设计：因其具备良好的电流承载能力和快速开关特性，可用于USB接口、电源热插拔保护电路中，防止浪涌电流损坏系统。 6. 工业控制与IoT设备：在PLC模块、传感器电源控制、智能电表等工业与物联网终端中，用于信号切换或电源通断控制。 综上所述，IRLML5103TRPBF凭借其小封装（SOT-23）、低功耗、高可靠性等优势，特别适用于空间受限、注重能效的低电压功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 760 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 760 mA |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML5103TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML5103TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 540 mW |
| Pd-功率耗散 | 540 mW |
| Qg-GateCharge | 3.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 600mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | *IRLML5103TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 功率耗散 | 540 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 3.4 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.44 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 760 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 760mA （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlml5103.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlml5103.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
