【晶体管 - FET，MOSFET - 单_CSD17308Q3】封装/厂家_CSD17308Q3中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD17308Q3

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CSD17308Q3
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

CSD17308Q3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17308Q3由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17308Q3价格参考￥1.92-￥1.92。Texas InstrumentsCSD17308Q3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 14A (Ta), 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)。您可以下载CSD17308Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17308Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD17308Q3是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型功率MOSFET产品系列，采用1.5mm × 1.5mm SON-6封装，具有低导通电阻和高效率特性。该器件主要适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。

典型应用场景包括：  
1. 负载开关：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，作为电源管理模块中的负载开关，控制不同功能模块的供电通断，降低待机功耗。  
2. DC-DC转换器：在同步整流降压（Buck）转换电路中作为低边开关使用，提升电源转换效率，适用于电池供电系统中的电压调节。  
3. 热插拔电路：用于防止电流冲击，保护系统电源路径，常见于USB电源管理、小型外设接口等场景。  
4. 电机驱动与LED驱动：在微型电机控制或背光LED驱动中，实现快速开关控制，提高响应速度与能效。  

CSD17308Q3具备30V耐压、11.5mΩ低导通电阻及5.9nC低栅极电荷，兼顾导通损耗与开关损耗，在小尺寸封装下实现优异热性能，适合高密度PCB布局。其高性能和紧凑设计使其成为消费类电子、工业便携设备及物联网终端中理想的功率开关元件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 47A 8SONMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	47 A
Id-连续漏极电流	13 A
品牌	Texas Instruments
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
产品系列	晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17308Q3NexFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CSD17308Q3
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.7 W
Pd-功率耗散	2.7 W
Qg-GateCharge	3.9 nC
Qg-栅极电荷	3.9 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	8.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	11.8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	10 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.3 V
上升时间	5.7 ns
下降时间	2.3 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	700pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	5.1nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10.3 毫欧 @ 10A，8V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SON
其它名称	296-27210-2
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17308Q3
功率-最大值	2.7W
包装	带卷（TR）
商标	Texas Instruments
商标名	NexFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
封装/箱体	VSON-8 Clip
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	37 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13A （Ta）， 47A （Tc）
系列	CSD17308Q3
视频文件	http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001
设计资源	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176
配置	Single